BBO est nova frequentia ultraviola geminatio crystalli. Est crystallus uniaxialis negativus, cum indice refractivo ordinario maior quam index refractivus extraordinarius (ne).Utriusque generis I et typus II periodo adaptatio angulo tuning attingi potest.
BBO est crystallus efficiens NLO secundae, tertiae et quartae harmonicae generationis Nd:YAG lasers, et optimae NLO crystallus quintae generationis harmonicae apud 213nm.Conversio efficacia plus quam 70% pro SHG, 60% pro THG et 50% pro 4HG, et 200 mW output ad 213 um (5HG) habitis, respective.
BBO etiam crystallum efficiens est ad intracitatem SHG virtutis altae Nd:YAG lasers.Nam intracavitatis SHG ipsius acousto-optici Q-sagittarii Nd:YAG laser, plus quam 15 W potentia mediocris in 532 um generata est ex crystallo AR iactato BBO.Cum sentinatur a 600 mW SHG output modi clausum Nd:YLF laser, 66 mW output in 263 um productum est e Brewster-angulo inciso BBO in cavo resonante externo aucto.
BBO adhiberi potest etiam ad applicationes EO. BBO Pockels cellulae vel EO Q-Switches ad mutare statum polarizationis lucis per illum transeuntis cum intentione adhibita electronicis crystallis electronicis opticis qualia sunt BBO.Beta-Barium Borate ( β-BaB2O4 , BBO ) cum characteribus latis perspicuitatis et periodi congruentibus iugis, coefficiens nonlinearibus magnis, limine magno detrimento et excellenti homogeneitate optica et proprietatibus electronico-opticis possibilitates attractivas praebent variis applicationibus opticis nonlinearibus et applicationibus electronico-opticis.
Features of BBO Crystals:
• Lata periodus parabilis range ab 409,6 um ad 3500 um;
• Lata transmissio regionis ab 190 um ad 3500 um;
• Large efficax generationis harmonicae secundae (SHG) coefficiens circa 6 tempora maior quam crystalli KDP;
• Maximum limen damni;
• Homogeneitas optica alta cum δn ≈10-6/cm;
• Lata temperatura sedis circiter 55℃.
Praecipua notitia:
BBO humilem humorem.Usores admonentur ut condiciones siccas tam applicationis quam conservationis BBO praebeant.
BBO est relative mollis et ideo cautiones requirit ut eius superficies politae defendantur.
Cum angulus accommodans necesse est, quaeso recordare acceptionem angulum BBO parvum esse.
Dimensio tolerantia | (W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.5/-0.1mm) (L≥2.5mm)(W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.1/-0.1 mm) (L<2.5mm) |
Patet apertura | centralis XC% of the diameterNo visibilis spargens vias seu centra inspectis per 50mW viridi laser |
idipsum | minus quam L / 8 @ 633nm |
Wavefront corruptelam | minus quam L / 8 @ 633nm |
Chamfer | ≤0.2mm x 45° |
Chip | ≤0.1mm |
Scratch/Dig | melius quam 10/5 ad MIL-PRF-13830B |
Parallelismus | ≤20 arcus seconds |
Perpendicularitas | ≤5 arcus minuta |
Angulus tolerantia | ≤0.25 |
Damnum limen [GW/cm2] | >1 pro 1064nm, TEM00, 10ns, 10HZ (nisi politum)> 0.5 pro 1064nm, TEM00, 10ns, 10HZ (AR-coated)> 0.3 pro 532nm, TEM00, 10ns, 10HZ (AR-coated) |
Basic possessiones | |
Crystal Structure | Trigonal.Spatium Group R3c |
Parameter cancellos | a=b=12.532Å, c=12.717Å, Z=6 |
Liquescens punctum | circiter 1095℃ |
Mohs duritia | 4 |
Densitas | 3.85 g/cm3 |
Scelerisque Expansion Coefficientes | α11=4 x 10-6/K;α33=36x 10-6/K |
Scelerisque Conductivity Coefficientes | c: 1.2W/m/K;//c: 1.6W/m/K |
Perspicuus dolor | 190-3500nm |
SHG Phase Matchable dolor | 409.6-3500nm (Typus I) 525-3500nm (Typus II) |
Coefficientes scelerisque-optici (/℃) | dno/dT=-16.6x 10-6/℃ dne/dT=-9.3x 10-6/℃ |
effusio Coefficientium | <0.1%/cm(ad 1064nm) <1%/cm(ad 532nm) |
Angulus acceptatio | 0.8mrad·cm (θ, Type I, 1064 SHG) 1.27mrad·cm (θ, Type II, 1064 SHG) |
Temperature acceptatio | 55℃·cm |
Specimen acceptionis | 1.1nm·cm |
Ambulare-off Anglus | 2.7° (Type I 1064 SHG) 3.2° (Typus II 1064 SHG) |
NLO Coefficientes | deff(I)=d31sinθ+(d11cos3Φ- d22 sin3Φ) cosθq deff (II)= (d11 sin3Φ + d22 cos3Φ) cos2θ |
Non evanuerunt NLO susceptibilitates | d11 = 5.8 x d36(KDP) d31 = 0.05 x d11 d22 < 0.05 x d11 |
Sellmeier Aequationes (λ in μm) | no2=2.7359+0.01878/(λ2-0.01822)-0.01354λ2 ne2=2.3753+0.01224/(λ2-0.01667)-0.01516λ2 |
Electro-optici coefficientes | γ22 = 2.7 pm/V |
Medium unda voltage | 7 KV (ad 1064 nm,3x3x20mm3) |
Model | Productum | Magnitudo | propensio | Superficies | Mons | quantitas |
DE0998 | BBO | 10*10*1mm | θ=29.2° | Pcoating@800+400nm | inmensus | 1 |
DE1012 | BBO | 10*10*0.5mm | θ=29.2° | Pcoating@800+400nm | φ25.4mm | 1 |
DE1132 | BBO | 7*6.5*8.5mm | θ=22° type1 | S1:Pcoating@532nm S2:Pcoating@1350nm | inmensus | 1 |
DE1156 | BBO | 10*10*0.1mm | θ=29.2° | Pcoating@800+400nm | φ25.4mm | 1 |