ND:YVO4 Crystal

Nd:YVO4 est efficacissima laser hospes crystalli pro diode flantibus inter crystallis commerciales currentes, praesertim, propter densitatem mediae potentiae humilem.Hoc maxime est ad eius effusio et emissionem notarum praestantium Nd:YAG.Laser diodes exantlaretur, Nd:YVO4 crystallum coefficientibus crystallis altis NLO (LBO, BBO, vel KTP) incorporatum est ad output frequentatum e prope ultrarubrum ad viridem, caeruleum, vel etiam UV.


  • Densitas atomica:1.26x1020 atomi/cm3 (Nd1.0%)
  • Crystal Structure Cell Parameter:Zircon tetragonale, globus spatii D4h-I4/amd a=b=7.1193Å,c=6.2892Å
  • Densitas:4.22g/cm3
  • Mohs duritia:4-5.
  • Scelerisque Expansion Coefficient(300K):αa=4.43x10-6/K αc=1.37x10-6/K
  • Scelerisque Conductivity Coefficient(300K):C:0.0523W/cm/K
    C:0.0510W/cm/K
  • Lasing necem;1064nm,1342nm
  • Scelerisque optical coefficientem(300K):dno/dT=8.5×10-6/K
    dne/dT=2.9×10-6/K
  • Emissio excitatur sectionem transversalem;25×10-19cm2 @ 1064nm
  • Product Detail

    Basic possessiones

    Nd:YVO4 est efficacissima laser hospes crystalli pro diode flantibus inter crystallis commerciales currentes, praesertim, propter densitatem mediae potentiae humilem.Hoc maxime est ad eius effusio et emissionem notarum praestantium Nd:YAG.Laser diodes exantlaretur, Nd:YVO4 crystallum coefficientibus crystallis altis NLO (LBO, BBO, vel KTP) incorporatum est ad output frequentatum e prope ultrarubrum ad viridem, caeruleum, vel etiam UV.Haec incorporatio ad omnem statum solidum laserorum construendum est instrumentum laseris optimum, quod la- tissimum applicationes laserorum tegere potest, inclusa machinatio, processus materialis, spectroscopia, inspectio lagana, ostentationes, medicae diagnostica, laser typographica, et notitia repositionis, etc. Ostensum est Nd:YVO4 subnixum diode statum solidum laserarum exsufflatum rapide occupare mercatus translaticio dominari per lasers aquaticas et laserarum lampadarum exantlaretur, praesertim cum consilium compactum et outputs unius longitudinalis requiruntur.
    Nd:YVO4 commoda supra Nd:YAG:
    • Excelsa circiter quinquies latior effusio efficiens super latitudinem flantis circa 808 um (ideo, dependentia flantibus necem esse multo inferiora et valida tendentia ad unum modum output);
    • quam ter maior emissionem crucis-sectionem excitavit ad lasingulum necem 1064nm;
    • Inferior perennis limen et altior fastigio efficientia;
    • Sicut crystallus uniaxialis cum magna birefringentia, emissio tantum lineariter polarizata est.
    Laser Properties of Nd:YVO4:
    • Una amabilissima indoles Nd:YVO4 est, comparata cum Nd:YAG, eius 5 partibus maior effusio coefficiens in latiori absorptione sedis circa 808um cacumen sentinae necem, quae modo aequat vexillum virtutis altae laser diodes nunc in promptu.Hoc significat crystallum minorem, qui laser adhiberi potest, quo densior ratio laseris est.Data enim potentia output, hoc etiam significat inferiorem gradum potentiae quam laser diodus operatur, ita vita extensa diode pretiosi laseris.Latior effusio sedis Nd:YVO4 quae attingit 2.4 ad 6.3 tempora Nd:YAG.Praeter efficaciorem flare, etiam latius patet amplius specificationum diodi electio.Hoc utile erit ut systema laser fabri ad ampliorem tolerantiam ad inferiores sumptus eligendis prosit.
    • Nd:YVO4 crystallum majus excitavit sectiones transversales emissiones, tam ad 1064nm quam ad 1342nm.Cum axis a-exsectus Nd:YVO4 crystallus in 1064m perdurans, est 4 circiter temporibus altior quam Nd:YAG, dum ad 1340nm transversim excitatus est 18 times maior, qui ad CW operationem omnino perficiendam Nd:YAG ducit. ad 1320nm.Haec faciunt Nd:YVO4 laser facilem esse firmam unam lineam emissionem in duas aequalitates ponere.
    • Alia indoles magni momenti Nd:YVO4 lasers est, quia uniaxialis potius quam alta symmetria cubicae est ut Nd:YAG, solum laser polarizatum linearly emittit, ita birefringentes effectus in conversione frequentia evitando.Etsi vita Nd:YVO4 est circiter 2.7 temporibus brevior quam Nd:YAG, eius declivia efficientia potest adhuc satis alta esse ad proprium cavitatis laseris consilium, propter altam sentinam quantum efficientiam.

    Densitas atomica 1.26×1020 atomi/cm3 (Nd1.0%)
    Crystal StructureCell Parameter Zircon tetragonale, coetus spatii D4h-I4/amd
    a=b=7.1193Å,c=6.2892Å
    Densitas 4.22g/cm3
    Mohs duritia 4-5.
    Scelerisque Expansion Coefficient.300K. αa=4.43×10-6/K
    αc=1.37×10-6/K
    Scelerisque Conductivity Coefficient.300K. C.0.0523W/cm/K
    C.0.0510W/cm/K
    Lasing adsum 1064nm.1342nm
    Scelerisque optical coefficientis.300K. dno/dT=8.5×10-6/K
    dne/dT=2.9×10-6/K
    Emissionem suscitat crucem-sectionem 25×10-19cm2 @ 1064nm
    Fluorescent vita 90µs(1%)
    effusio coefficientis 31.4cm-1 @810nm
    Damnum intrinsecum 0.02cm-1 @1064nm
    Sed quaestum 0.96nm@1064nm
    Polarized emissio laser polarisation;parallela ad axem opticum (c-axis)
    Diode exantlaretur optical ad efficientiam optical >60%

    Parametri technicae:

    Chamfer <λ/4 @ 633nm
    tolerances dimensiva (W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.2/-0.1mm).L<2.5mm.(W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.5/-0.1mm).L>2.5mm.
    Patet apertura Centralis 95%
    idipsum λ/8 @ 633 um, λ/4 @ 633nm.tickness minus quam 2mm *.
    Superficies qualitas 10/5 Scratch/Dig per MIL-O-1380A
    Parallelismus magis quam XX arcus seconds
    Perpendicularitas Perpendicularitas
    Chamfer 0.15x45deg
    Coating 1064nm.R<0.2%.HR Coating.1064nm.R>99.8%.808nm.T>95%