English
LBO Crystal Featured Image
  • LBO Crystal
  • LBO Crystal

LBO Crystal

LBO (Lithium Triborate – LiB3O5) nunc est frequentissima materia pro Generatione Harmonica Secunda (SHG) 1064nm potentiarum altarum lasers (sicut substitutum KTP) et Summum Frequency Generationis (SFG) 1064nm fons laseris ut UV luceat apud 355nm. .


  • Crystal Structure:Orthorhombic, Circulus Tractus Pna21, Circulus Point mm2
  • Parameter cancellos:a=8.4473Å,b=7.3788Å,c=5.1395Å,Z=2
  • Liquescens punctum:circiter 834℃
  • Mohs duritia: 6
  • Densitas:2.47g/cm3
  • Scelerisque Expansion Coeficientes:αx=10.8x10-5/K, αy=-8.8x10-5/K, αz=3.4x10-5/K
  • αx=10.8x10-5/K, αy=-8.8x10-5/K, αz=3.4x10-5/K;3.5W/m/K
    • whatsapp Download as PDF

    Product Detail

    Technical parametri

    LBO (Lithium Triborate - LiB3O5) nunc est frequentissima materia pro Generatione Harmonica Secunda (SHG) 1064um potentiarum altarum lasers (sicut substitutum KTP) et Summum Frequency Generationis (SFG) 1064nm fons laseris ad UV lumen consequendum apud 355nm. .
    LBO phase parabilis est pro SHG et THG Nd:YAG et Nd:YLF lasers, utens vel typus I vel II commercium typus.Ad SHG ad cella temperiem, typus I periodi congruens attingi potest et maximam effectivam habet SHG coefficiens in planis principalibus XY et XZ in amplo necem ab 551nm usque ad 2600nm.SHG conversio efficacia plus quam 70% pro pulsus et 30% pro cw Nd:YAG lasers, et THG efficientia conversio super 60% pro pulsus Nd:YAG laser observatae sunt.
    LBO NLO crystallus praeclarus est in OPOs et OPA cum late tunabili necem et altae potentiae.Hae OPO et OPA quae ab SHG et THG Nd: YAG laser et XeCl excimer laser ad 308nm relata sunt.Proprietates singulares typus I et typus II congruens periodo necnon NCPM magnum spatium relinquunt in investigationibus et applicationibus LBO's OPO et OPA.
    commoda:
    • Dilucidatio lata ab 160nm ad 2600nm;
    • Alta homogeneitas optica (δn≈10-6/cm) et inclusionis immunis;
    • Relativa magna effectiva SHG coefficiens (ter fere KDP);
    • Maximum limen damni;
    • Lata acceptio rectus et parvi ambulatio-off;
    • Typus I et typus II periodi non-criticae congruens (NCPM) in amplo spatio adsum;
    • Spectrale NCPM prope 1300nm.
    Applicationes:
    • Plusquam 480mW output ad 395nm generatur frequentia geminatio 2W modi-clausarum Ti:Sapphirus laser (<2ps, 82MHz).Necem 700-900nm amplitudo crystallo 5x3x8mm3 LBO tegitur.
    • Plus 80W viridis output obtinetur SHG de Q commutatae Nd:YAG laser in typo II 18mm longi LBO crystalli.
    • Frequentia duplicatio diodi exantlatae Nd:YLF laser (>500μJ @ 1047nm,<7ns, 0-10KHz) super 40% conversionem efficientiam attingit in crystallo 9mm longo LBO.
    • VUV output in 187.7 um obtinetur summa frequentia generationis.
    • 2mJ/pulsus diffractionem trabis circumscriptam 355nm obtinetur per intracavitatis frequentiam triplicem in Q-sagittatum Nd:YAG laser.
    • Prorsus alta altiore conversionis efficientia et 540-1030nm possibilis iugi necem impetrata cum OPO exantlaretur 355nm.
    • Typus I OPA in 355nm exantlaretur cum energiae conversionis ad efficientiam 30% signum sentinae relatum est.
    • Typus II NCPM OPO per laser XeCl excimer laser ad 308nm excursatus effectum 16.5% conversionis efficientiam consecutus est, et iugis tunabiles moderatae necem obtineri possunt cum diversis fontibus flantibus et temperatura tuning.
    • Adhibitis technicis NCPM, typus I OPA ab SHG a Nd:YAG ad 532nm laser exanimatus observatum etiam est ad operiendum late tunabilem latitudinem ab 750nm ad 1800um ab ingressu ab 106.5℃ ad 148.5℃.
    • Utendo typo II NCPM LBO ut generator parametricus opticus (OPG) et typus I periodus criticus compositus BBO ut OPA, linea latitudo angusta (0.15nm) et altae energiae conversionis ad efficientiam (32.7%) habiti sunt. cum exantlaretur per 4.8mJ, 30ps laser ad 354.7nm.Necem tuning ab 482.6nm ad 415.9nm contecta est vel augendo temperiem LBO vel a rotando BBO.

    Basic possessiones

    Crystal Structure

    Orthorhombic, Circulus Tractus Pna21, Circulus Point mm2

    Parameter cancellos

    a=8.4473Å,b=7.3788Å,c=5.1395Å,Z=2

    Liquescens punctum

    circiter 834℃

    Mohs duritia

    6

    Densitas

    2.47g/cm3

    Scelerisque Expansion Coeficients

    αx=10.8×10-5/K, αy=-8.8×10-5/K, αz=3.4×10-5/K

    Scelerisque Conductivity Coefficientes

    3.5W/m/K

    Perspicuus dolor

    160-2600nm

    SHG Phase Matchable dolor

    551-2600nm (Typus I) 790-2150nm (Typus II)

    Therm-opticus Coefficiens (/℃, λ in μm)

    dnx/dT=-9.3X10-6
    dny/dT=-13.6X10-6
    dnz/dT=(-6.3-2.1λ)X10-6

    effusio Coefficientium

    <0.1%/cm ad 1064nm <0.3%/cm ad 532nm

    Angulus acceptatio

    6.54mrad·cm (φ, Typus I,1064 SHG)
    15.27mrad·cm (θ, Type II,1064 SHG)

    Temperature acceptatio

    4.7·cm (Typus I, 1064 SHG)
    7.5·cm (Typus II, 1064 SHG)

    Specimen acceptionis

    1.0nm·cm (Typus I, 1064 SHG)
    1.3nm·cm (Typus II, 1064 SHG)

    Ambulare-off Anglus

    0.60° (Type I 1064 SHG)
    0.12° (Typus II 1064 SHG)

     

    Technical Parameters
    Dimensio tolerantia (W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.5/-0.1mm) (L≥2.5mm)(W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.1/-0.1 mm) (L<2.5mm)
    Patet apertura centralis XC% of the diameterNo visibilis spargens vias seu centra inspectis per 50mW viridi laser
    idipsum minus quam λ/8 @ 633nm
    Transmittens wavefront pravitatis minus quam λ/8 @ 633nm
    Chamfer ≤0.2mm x 45°
    Chip ≤0.1mm
    Scratch/Dig melius quam 10/5 ad MIL-PRF-13830B
    Parallelismus magis quam XX arcus seconds
    Perpendicularitas ≤5 arcus minuta
    Angulus tolerantia θ≤0.25°, φ≤0.25°
    Damnum limen [GW/cm2] >10 pro 1064nm, TEM00, 10ns, 10HZ (nisi politum)>1 pro 1064nm, TEM00, 10ns, 10HZ (AR-coated)> 0.5 pro 532nm, TEM00, 10ns, 10HZ (AR-coated)

    Products categories

    Intrare quaerere vel ESC claudere