Semiconductor THz Crystal: ZnTe (Zinc Telluride) crystallis cum <110> orientatione adhibentur ad THz generationem per processum rectificationis opticum.Rectificatio optica est differentia frequentiae generationis in instrumentis magnis secundi ordinis susceptibilitatis.Pulsus enim femto- cundus laser, qui magnam latitudinem habent, frequentia inter se inter se occurrunt, et earum differentia longitudo ab 0 ad plures THz efficiunt.Deprehensio pulsuum THz occurrit per spatium liberum detectionis electro-opticae in alio <110> crystallo Znte ordinato.Pulsus THz et venae visibiles collineare per crystallum ZnTe propagantur.Pulsus THz birefringentiam in crystallo inducit, quae per pulsum visibilem lineariter polarizatum inducit.Cum pulsus visibilis et pulsus THz simul in crystallo sunt, visibile polarizationem pulsus THz rotabitur.Usura λ/4 fluctuationis et trabibus polarizer una cum photodiodis libratis statuto, fieri potest ad amplitudinem venarum THz describendam, vigilantia pulsus visibilem polarizationem rotationis post crystallum ZnTe in variis morae temporibus respectu pulsus THz.Facultas legendi plenam electrici campi tam amplitudinis quam procrastinationis, una est spectroscopiae amoenitatis temporis-dominii THz.ZnTe adhibentur etiam pro IR substra- tium opticorum et depositionis vacuum.
Basic Properties | |
Formulae structurae | ZnTe |
cancellos parametri | a=6.1034 |
Densitas | 110 |