ZnTe Crystal

Semiconductor terahertz Gase et ZnTe crystallis features altae laser damnum limen et pulsus perquam breves et altas qualitates THz pulsus utens potentia femtosecond lasers altae generat.


  • MALITIA Price:US $0.5 - 9,999 / Piece
  • Min.Order Quantitas:100 Piece/Picies
  • Facultates copia:(X) Piece / Mass per mense
  • Formulae structurae:ZnTe
  • Density :5.633g/cm³
  • Axis crystallis:110
  • Product Detail

    Technical Parametert

    Semiconductor THz Crystal: ZnTe (Zinc Telluride) crystallis cum <110> orientatione adhibentur ad THz generationem per processum rectificationis opticum.Rectificatio optica est differentia frequentiae generationis in instrumentis magnis secundi ordinis susceptibilitatis.Pulsus enim femto- cundus laser, qui magnam latitudinem habent, frequentia inter se inter se occurrunt, et earum differentia longitudo ab 0 ad plures THz efficiunt.Deprehensio pulsuum THz occurrit per spatium liberum detectionis electro-opticae in alio <110> crystallo Znte ordinato.Pulsus THz et venae visibiles collineare per crystallum ZnTe propagantur.Pulsus THz birefringentiam in crystallo inducit, quae per pulsum visibilem lineariter polarizatum inducit.Cum pulsus visibilis et pulsus THz simul in crystallo sunt, visibile polarizationem pulsus THz rotabitur.Usura λ/4 fluctuationis et trabibus polarizer una cum photodiodis libratis statuto, fieri potest ad amplitudinem venarum THz describendam, vigilantia pulsus visibilem polarizationem rotationis post crystallum ZnTe in variis morae temporibus respectu pulsus THz.Facultas legendi plenam electrici campi tam amplitudinis quam procrastinationis, una est spectroscopiae amoenitatis temporis-dominii THz.ZnTe adhibentur etiam pro IR substra- tium opticorum et depositionis vacuum.

    Basic Properties
    Formulae structurae ZnTe
    cancellos parametri a=6.1034
    Densitas 110